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NTD4858N-35G中文资料

NTD4858N-35G图片

NTD4858N-35G外观图

  • 大小：300KB
  • 厂家：
  • 描述：MOSFET N-CH 25V 11.2A IPAK
  • 标准包装：75
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：25V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：11.2A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：6.2 毫欧 @ 30A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：19.2nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：1563pF @ 12V
  • 功率 - 最大：1.3W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-251-3 短截引线，IPak
  • 供应商设备封装：I-Pak
  • 包装：管件

NTD4858N-35G供应商

更新时间:2023-01-07 01:16:15
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NTGD4161PT1GNCN6001DTBR2GNCP1086D2T-33R4GN74F125DNCP1219AD65R2GNCP1203D60R2GNCP1606BDR2GNTGS3446T1GNCP1252ADR2GNDT3055L

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