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NTD4858N-35G中文资料

NTD4858N-35G图片

NTD4858N-35G外观图

  • 大小:300KB
  • 厂家:
  • 描述:MOSFET N-CH 25V 11.2A IPAK
  • 标准包装:75
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):25V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:11.2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:6.2 毫欧 @ 30A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:19.2nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:1563pF @ 12V
  • 功率 - 最大:1.3W
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-251-3 短截引线,IPak
  • 供应商设备封装:I-Pak
  • 包装:管件

NTD4858N-35G供应商

更新时间:2023-01-07 01:16:15
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